SiC模塊革IGBT模塊命，基本半導體SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊，基本半導體SiC模塊替代三菱IPM模塊，基本半導體SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本半導體SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊，基本半導體SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊！
使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT變流器，實現(xiàn)更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！
隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC碳化硅MOSFET！
基本半導體的SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略能夠滿足所有關鍵因素的要求：BASiCSEMI基本半導體多樣化的晶圓和采購網(wǎng)絡（BASiCSEMI基本半導體自有晶圓廠及與代工廠相結合，BASiCSEMI基本半導體自有封裝廠與代工相結合）、BASiCSEMI基本半導體一流的平面柵器件B3M及更新的溝槽器件（研發(fā)中）、BASiCSEMI基本半導體最全面的功率模塊封裝和電力電子建模、卓越的系統(tǒng)理解、與最廣泛的汽車、BASiCSEMI基本半導體工業(yè)和可再生能源客戶的合作，以及未來可根據(jù)實際市場需求進行擴展的最佳成本彈性生產(chǎn)足跡，正是這些獨特的因素，使BASiCSEMI基本半導體碳化硅功率器件業(yè)務在未來的發(fā)展中不斷取得成功。
傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP。
基本半導體™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌IGBT模塊：FF900R12ME7W_B11，F(xiàn)F900R17ME7W_B11，F(xiàn)F450R12KT4，F(xiàn)F600R12ME4_B72，F(xiàn)F750R12ME7_B11，F(xiàn)F900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE4
基本半導體™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SiC模塊：SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17
基本半導體™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士IGBT模塊：2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50
傾佳電子（Changer Tech）致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復雜，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造，控制簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結溫低于最大規(guī)定值。
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™SiC單管替代正在加速替代IFX英飛凌ON安森美ST意法FUJI富士IGBT單管!
SiC單管革IGBT單管命，基本半導體SiC單管國產(chǎn)替代Infineon英飛凌IGBT單管，基本半導體SiC單管國產(chǎn)替代ON安森美IGBT單管，基本半導體SiC單管國產(chǎn)替代ST意法IGBT單管，基本半導體SiC單管國產(chǎn)替代Fuji富士IGBT單管！
未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。
為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應用需求，BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅動中。
B3M040120Z是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™基于第二代碳化硅MOSFET技術開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。
BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本半導體™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。